恩智浦宣布升级1亿美元到GaN 5G设备的亚利桑那州制造

16-10-2020 |  |  By 萨姆布朗

最近,恩智浦宣布计划升级其亚利桑那半导体铸造厂以生产5G GAN半导体器件。什么是GaN,它与硅相比如何,为什么GaN是5G技术的好候选人?

什么是甘?

GaN是由氮化镓制成的半导体晶体 并且有许多属性使其成为对硅的真正竞争者。 GaN具有3.4eV的带隙,导热率为1.3W / cmK,电子迁移率为1500cm2 / V.s。作为半导体,由于其能够直接产生蓝/紫光,并且由于其热和导电性能而产生的能力,GaN已经广泛使用。

GaN如何与Silicon与半导体相比?

与硅相比,半导体的工业标准材料,GaN的硅具有许多优点。为了开始,GaN的电子迁移率大于硅的1,000倍,允许降低电阻,从而更好地导电损耗。 GaN还能够比硅装置更快地运行,并且猜测GaN可以在THz中操作。较大的导热性允许GaN装置在更极端的条件下操作,因为它们可以容易地去除热量,并且较高的带隙允许它们在更大的电压下操作。当然,甘甘作为半导体技术并不像硅一样成熟,大多数铸造件都朝硅。因此GaN设备更昂贵。要了解价格差异, 2英寸的GaN的晶片售价1,900美元,而6英寸的硅晶圆成本在25美元到50美元之间。

为什么GaN被认为是5克的好候选人?

5G技术依赖于天线系统,可以在无线电频率下提供大量功率。甘甘虽然昂贵, 5G基站可以利用GaN属性来生产无线电通信系统 这可以在高功率下运行,热效率,并且能够以高频运行。随着基站很少被替换,并且与移动设备的数量相比,基站腭的数量,在基站处使用GaN在成本和数量之间提供良好的折衷。 GaN的使用也允许较小的系统,其可以导致更多的离散基站或可以整合每个单位面积更复杂的系统的基站。 

恩智浦宣布为亚利桑那州铸造厂增加了1亿美元

认识到GaN在未来的5G网络中的重要性, 恩智浦最近开设了新的1亿美元GAN Foundry为他们的钱德勒,亚利桑那州工厂。新增添加将允许生产150mm GaN RF功率放大器。据恩智浦介绍,新网站是美国中最先进的,并有助于生产最先进的GAN设备。

当然,恩智浦开幕GaN生产设施不仅由5G网络中GAN的优势而驱动; 3月份发布的报告表明GaN RF行业 将从174亿美元(今年)从2025年增长到266亿美元。然而,由于全球禁令在中国设备上的禁令,因此生产5G技术的紧迫性,它是5G基础设施的中心。这已经为西部的公司开辟了生产5G设备的机会,开发的高效RF放大器是一个特别受益的一个区域。因此,最初的1亿美元投资(在中国设备上的禁令之前完成了),这是一个非常好的举动。 

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萨姆布朗

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