扩展MOSFET系列用于静态切换应用

12-04-2021 | 英飞凌 | 力量

在应用中,在频率低频切换的情况下,高功率产品设计必须满足许多关键特性:它们必须降低导通损耗,提供最佳的热行为,并促进更紧凑和更轻的系统 - 所有的均在维持最高质量时成本低。为了满足这些要求,英飞凌技术AG已增强600V CoolMos S7系列,具有两个新的优化设备,可用于静态开关应用:工业级CoolMos S7 10Mohm和汽车级CoolMos S7a。


CoolMos S7 10MOHM具有600V超级接合MOSFET的独特导通电阻(RDS(ON)),使其优异的应用最小的导通损耗是关键的,例如搁板的SSR。相比之下,汽车级CoolMOS S7a通过固态断路器和二极管设置的系统性能需求解决了汽车应用中的高功率/性能设计,包括高电压(HV)eFuse,HV Edisconnect电池断开开关,并在载有充电器。






芯片在市场上具有最低的RDS(ON),最佳RDS(开启)X A X成本。此外,它们已集成到创新的顶级冷却(TSC)QDPAK SMD封装中,提供了出色的热行为,使其更小的选择THD为-247。此外,通过将从THD与QDPAK的表面安装到表面安装的装置,可以实现高度的94%的高度,允许更高的功率密度解决方案。通过设备的低导电损耗,设计人员可以将散热器的尺寸限制在80%上,并延长电流和电压额定值而不改变外形。

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