突破65W ACF GaN充电器参考设计

15-03-2021 | GaN系统 | 设计制造

GaN系统 提供了一种新的功率密度的新参考设计,高效率GaN的65W主动钳位反激(ACF)充电器与席尔纳半导体合作。参考设计现已获得席克纳半导体。它为ACF USB-C PD GaN充电器提供了一种简单的设计,将设计周期和产品的产品时间降低,为客户提供市场。


该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难,该设计通常具有高侧和低侧配置中的两个晶体管。新的充电器参考设计使用SiLanna的SZ1130 ACF PWM控制器和GAN Systems GN Systems GS-065-008-1-L 650V GaN电源晶体管,高端FET集成到控制器中。该设计通过在次级侧采用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET提供更低的BOM成本。


“Silanna Semiconductor的SZ1130芯片非常适合65W ACF设计,是公司开发创新解决方案的另一个例子,以表彰甘甘地,CEO,GaN系统的吉姆·哈姆姆说。 “随着甘成为跨市场的标准建筑块,很高兴看到生态系统继续增长。”

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