功率MOSFET提供高功率密度和效率

14-10-2019 | 罗龙克 | 力量

节省空间的Superso8封装中的英飞凌Optimos 3和5 BIC功率MOSFET有助于更高的功率密度以及与前模型相比提高鲁棒性。现在可以在Rutronik UK提供,这些功率MOSFET在增加整体性能的同时降低系统成本。


由于较低的导通电阻(RDS(ON)),BIS MOSFET以良好的价格 - 性能比率降低损耗。此外,与情况交叉点(RthJC)之间的低热阻抗提供了出色的热行为,其支持较低的全负载温度。低反向恢复电荷(QRR)通过显着降低电压过冲来提高系统可靠性,这降低了对缓冲电路的要求。结果,减少了工程成本和努力。


BIC MOSFET的175度额定值有助于在相同操作结温处更高的操作结温或更长的寿命处具有更多的功率。而且,随着温度额定值的增加,实现了安全操作区域的20%改善。


通过其性能数据,这些BIC MOSFET非常适用于包括服务器,电信,三相逆变器,低压驱动以及D类音频应用的应用。投资组合包括60V到250V的版本。

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