新的32位宽8MB和16MB快速SRAM在90球TFBGA包装中

19-05-2017 | 联盟记忆 | 半导体

为满足高密度快速CMOS SRAM的需求,联盟内存在90杆8mm x 13mm TFBGA封装中引入了新的8MB和16MB X32器件。提供节省空间的替代方案到较大的119滚筒封装中,这些设备针对网络路由器和切换器,测试和医疗设备以及汽车应用进行了优化。通过10ns和数据保持电压为1.5V最小的访问时间,8MB AS7C325632-10BIN和16MB AS7C351232-10BIN分别配置为256k×32和512K×32。 SRAM提供低功耗,操作电流为125mA典型的4mA典型的待机电流。这些器件从单个电源的3.3V电源操作,提供三态输出。符合RoHS标准和无卤部件在-40℃至+ 85℃温度范围内操作。

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