用于高性能,可靠的微控制器的闪存单元

16-12-2016 | 瑞萨 | 新技术

瑞萨 Electronics已成功开发出作为World的第一型栅极金属氧化物氮化物氧化硅闪存单元,采用具有鳍片的晶体管,用于MCU,用于带有16nm的电路线宽的片上闪存14nm或更细。 SG-Monos技术可靠,用于汽车应用,公司目前的质量使用该技术产生40nm MCU,28nm MCU正在开发中。成功的发展显示SG-Monos技术的有希望的可扩展性至16/14nm流程节点及更远。

汽车自动化的进步,如先进的驾驶辅助系统(ADA)以及通过IOT连接的智能社会已经为使用更精细的过程技术制造的更高级MCU的需求。为了解决这一需求,公司已根据16/14NM技术开发嵌入式闪存,成功最新的40 / 28nm。在16/14nm逻辑过程中,通常采用FinFET,具有翅片结构的晶体管,以实现改进的性能和降低的功耗,以克服传统平面晶体管的缩放限制。

然而,根据闪存的结构,采用用于嵌入式闪存的FIN结构可能成为一个大挑战。已经提出并实施了两种类型的嵌入式闪存:浮栅和电荷陷阱。与浮栅存储器相比,近年来一直利用的电荷陷阱闪存具有卓越的电荷保留特性,以及需要高度可靠性的汽车MCU中的经过验证的曲目记录。而且,由于存储器功能材料形成在硅衬底的表面上,因此它们相对易于延伸到三维翅片结构中。相反,浮栅闪存单元具有复杂的结构,因此难以将其整合到翅片结构中。

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