最新的PowerTrench MOSFET提供畅级性能

22-03-2016 | 法制罗密 | 力量

FAIRCHILD已启动其最新生成100V N沟道功率MOSFET的旗舰设备,FDMS86181屏蔽栅极电源触发MOSFET。 FDMS86181是FairChild新一代电力频机MOSFET中的第一部分,它为电源,电机驱动器和需要100V MOSFET的其他应用提供了大量的效率,降低电压振铃和较低的电磁干扰(EMI)。

Fairchild是一家近25年前成功的Powertench MOSFET的早期先锋,这次最新一代的电力聊天设备继续保持公司在MOSFET技术开发的最前沿,前方竞争对手和能够满足客户最苛刻的系统电力要求。公司。

“我们的新100V N沟道FET是我们之前的行业领先的发电机MOSFET发电的主要进展,并且在几乎每个竞争对手的情况下,从效率通过可靠性,副总裁苏南纳拉安说Fairchild,IFET业务部长总经理。

新FDMS86181的主要优点是RDSON减少的40%,降低导通损耗及其最小化栅极电荷(QG),从而降低了切换损耗。 FDMS86181的异常低QRR几乎消除了导致振铃的电压过冲,这允许减少或消除产品设计中的缓冲器并减少EMI。该公司表示,这种“独特”优势允许设计人员降低产品规模和材料清单(BOM)成本。

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